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J-GLOBAL ID：200903088435385982

薄膜基板の保持方法及び半導体装置の製造方法

Inventor： 松尾 美恵 ,  金子 尚史 ,  田窪 知章 ,  青木 秀夫 ,  沼田 英夫 ,  原田 享 ,  高橋 健司 ,  池上 浩 ,  大村 一郎 ,  江澤 弘和
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004272518
Publication number (International publication number)：2006086479
Application date： Sep. 17, 2004
Publication date： Mar. 30, 2006
Summary：

【課題】薄膜基板を通常の厚い基板と同様に取り扱うことができる薄膜基板の保持方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】保持材4と薄膜ウェハW2とを薄膜ウェハW2の外周に沿うように設けられた接着層3を介在させて接着し、薄膜ウェハW2を保持材4に固定する。保持材4には、薄膜ウェハW2と保持材4との間の空間に連通した開口4aが形成されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

保持材と薄膜基板とを前記薄膜基板の外周に沿うように設けられた接着層を介在させて接着し、前記薄膜基板を前記保持材に固定する薄膜基板の保持方法であって、 前記保持材及び前記接着層の少なくとも一方は、前記薄膜基板と前記保持材との間の空間に連通した開口を有していることを特徴とする薄膜基板の保持方法。

IPC (4)：

H01L 21/683 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304

FI (4)：

H01L21/68 N ,  C25D7/12 ,  H01L21/02 C ,  H01L21/304 622G

F-Term (13)：

4K024AA09 ,  4K024AB17 ,  4K024BA15 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CB02 ,  4K024GA16 ,  5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031HA13 ,  5F031HA80 ,  5F031MA22 ,  5F031PA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体ウエハの加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-134157   Applicant：リンテック株式会社

Cited by examiner (4)

• 電子デバイス用支持板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-148234   Applicant：住友金属鉱山株式会社
• ウエハ支持体およびそれを用いた熱処理用ボート
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-247861   Applicant：旭硝子株式会社
• 特開平2-045921
  
• 特開平1-321655