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J-GLOBAL ID：200903088492652261

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 尾添 祥司 ,  志賀 智英 ,  岡部 好文 ,  青木 孝明 ,  深沢 剛 ,  粥川 君治
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006046514
Publication number (International publication number)：2007019458
Application date： Feb. 23, 2006
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：

【課題】シリコン基板の厚みを薄くすることなく、かつ、アニール工程を行わなくてもよい半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】研削後のシリコン基板1の裏面にAl膜10aをスパッタする。これにより、研削時に形成されるアモルファスシリコン11が再結晶化シリコン12となる。したがって、Al膜10aとシリコン基板1とをオーミック接続すること、つまり裏面電極10とシリコン基板1とをオーミック接続することが可能となる。このため、シリコン基板1の厚みを薄くすることなく、かつ、アニール工程を行わなくてもよい構造の半導体装置とすることが可能となる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

シリコン基板(1)の表面側に形成された第1電極(9)と裏面に形成された第2電極(10)とを有し、前記第1電極(9)と前記第2電極(10)の間に電流を流すように構成された縦型の半導体素子が備えられてなる半導体装置において、 前記シリコン基板(1)の裏面には、再結晶化シリコン(12)が形成されていると共に、該再結晶化シリコン(12)の表面にAl膜(10a)がオーミック接合されており、前記第2電極(10)が前記Al膜(10a)を含む金属膜で構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L21/28 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 658A

F-Term (14)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-359942   Applicant：株式会社デンソー
• 特許第3339552号公報
  

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-084425
  
• 特開平1-220439
  
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-087950   Applicant：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-273455   Applicant：株式会社デンソー