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J-GLOBAL ID：200903069455280902

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
宮地 幸夫

About 宮地 幸夫

, 
濱田 公守

About 濱田 公守


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所

, 
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (1)： 吉田 研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000087950
Publication number (International publication number)：2001274191
Application date： Mar. 28, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 表面パッド電極と外部装置とを電気的な接続や物理的な接続が十分でない場合があった。【解決手段】 半導体装置100の表面電極第一層32は表面電極パッド30の材料と密着性の良い材料からなり、表面電極第二層34は、はんだバンプ50の材料と密着性の良い材料からなり、裏面電極第一層42は、裏面電極パッド40の材料と密着性の良い材料からなり、裏面電極第二層44は、はんだバンプ54の材料と密着性の良い材料からなる。従って、表面パッド電極30及び裏面パッド電極40と他の外部装置との電気的な接続や物理的な接続を十分にすることができる。
Claim (excerpt)：
半導体素子を備える半導体基板と、該半導体基板の表の面に設けられ、前記半導体素子と電気的に接続される表面パッド電極と、該表面パッド電極上に設けられ、該表面パッド電極と電気的に接続される表面電極と、を備え、前記表面電極は他の装置の電極とバンプにより物理的、且つ、電気的に接続される半導体装置であって、前記表面電極は複数の導電層を有し、該複数の導電層のうち、前記表面パッド電極と物理的に接続される導電層は前記表面パッド電極の材料と密着性が良い材料からなり、前記バンプと物理的に接続される導電層は前記バンプの材料と密着性が良い材料からなる半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655
FI (7)：
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/288 M ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 H
F-Term (34)：
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD53 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104GG20 ,  4M104HH08 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033MM08 ,  5F033PP28 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033SS15 ,  5F033VV07 ,  5F033XX12 ,  5F044QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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