Pat

J-GLOBAL ID：200903088539605445

凸欠陥部修正方法

Inventor： 横山寿文 ,  榛沢健一 ,  鈴木 豊
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (2)： 小西 淳美 (外8名) ,  韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993193813
Publication number (International publication number)：1995028228
Application date： Jul. 12, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 レーザビームのエグレに対応でき、半導体集積回路の微細化にともなう、欠陥部の修正にも充分対応できる、フオトマスクの遮光膜、位相シフトマスクの遮光膜やシフターの凸欠陥修正方法を提供【構成】 正規のパターン部と凸欠陥部の境を、集束イオンビーム(FIB)によるミリングあるいはガスアシストエッチングにより分離した後、分離されて残った凸欠陥部をレーザを照射することによって蒸発除去する凸欠陥修正方法

Claim (excerpt)：

フオトマスクにおける遮光膜、位相シフトフオトマスクにおける遮光膜やシフターの凸欠陥部の修正方法であって、正規のパターン部と凸欠陥部の境を、集束イオンビーム(FIB)を用いた、ミリングあるいはガスアシストエッチングにより分離した後に、分離されて残った凸欠陥部をレーザを照射することにより蒸発除去することを特徴とする凸欠陥部修正方法

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  B23K 15/08 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭60-074622
  
• 特開平4-125642
  
• レチクル・マスクの欠陥修正方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-116580   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭60-074622
  
• 特開平4-125642