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J-GLOBAL ID：200903088552574990

パラメータ調整装置

Inventor： 小助川 奨 ,  御子柴 正光
Applicant, Patent owner： 株式会社進化システム総合研究所
Agent (2)： 久保田 直樹 ,  野村 泰久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008068678
Publication number (International publication number)：2009223710
Application date： Mar. 18, 2008
Publication date： Oct. 01, 2009
Summary：

【課題】トランジスタなどの半導体素子の物理モデルの多数のパラメータを短時間で調整可能なパラメータ調整装置を提供すること。【解決手段】パラメータ調整装置は、BSIM等の半導体素子の物理モデルの複数のパラメータの少なくとも一部を遺伝子とする個体を定義し、FETのゲート幅W、ゲート長Lの複数の組み合わせについてそれぞれ設定されたセンターFET、BEST-FET、WORST-FETのしきい値電圧値Vthおよびオン電流値Ionの設定値に合致し、かつ物理モデルの計算値が設定値の一方の側に来るように遺伝的アルゴリズムを使用して物理モデルのパラメータを最適化するパラメータ調整手段を備える。BEST-FET、WORST-FETのモデルについてはモデルの計算値が設定値より外側になるようにBSIMパラメータを調整することが可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体素子の物理モデルの複数のパラメータの少なくとも一部を遺伝子とする個体を定義し、半導体素子の複数の形状に関連した複数の設定値に合致し、かつ前記物理モデルの計算値が前記複数の設定値の一方の側に来るように遺伝的アルゴリズムを使用して物理モデルのパラメータを最適化するパラメータ調整手段を備えたことを特徴とするパラメータ調整装置。

IPC (2)：

G06N 3/00 ,  H01L 29/00

FI (2)：

G06N3/00 550C ,  H01L29/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• パラメータ調整装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-275037   Applicant：株式会社進化システム総合研究所, 株式会社半導体先端テクノロジーズ