半導体装置製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001011009
Publication number (International publication number)：2002217413
Application date： Jan. 19, 2001
Publication date： Aug. 02, 2002
Summary：

【要約】【課題】従来よりも膜厚が薄く、貫通転位が無く、且つ表面が原子レベルで平坦な歪緩和シリコンゲルマニウム緩衝層を有する、量産性の優れた半導体装置を製造する方法を提供する【解決手段】シリコン基板上に、実質上3次元島を発生させない所定のエピタキシャル成長条件において緩衝層であるシリコンゲルマニウム層を形成する工程と、前記シリコンゲルマニウム層上に、実質上3次元島を発生させない所定のエピタキシャル成長条件において被覆層である第1シリコン層を形成する工程と、前記シリコンゲルマニウム層及び第1シリコン層に所定温度における熱処理を施し、前記シリコンゲルマニウム層を格子歪緩和状態にすると共に前記第1シリコン層を引張歪状態にする工程と、前記引張歪第1シリコン層上に、引張歪第2シリコン層を形成する工程と、前記引張歪第2シリコン層上をチャネル層とする電界効果トランジスタを形成する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に、実質上3次元島を発生させない所定のエピタキシャル成長条件において緩衝層であるシリコンゲルマニウム層を形成する工程と、前記シリコンゲルマニウム層上に、実質上3次元島を発生させない所定のエピタキシャル成長条件において被覆層である第1シリコン層を形成する工程と、前記シリコンゲルマニウム層及び第1シリコン層に所定温度における熱処理を施し、前記シリコンゲルマニウム層を格子歪緩和状態にすると共に前記第1シリコン層を引張歪状態にする工程と、前記引張歪第1シリコン層上に、引張歪第2シリコン層を形成する工程と、前記引張歪第2シリコン層上をチャネル層とする電界効果トランジスタを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/324

FI (4)：

H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 21/324 X , H01L 29/78 301 B

F-Term (60)：

5F045AA05 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DA53 , 5F045DA67 , 5F045DA69 , 5F045HA16 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL07 , 5F103NN01 , 5F103PP03 , 5F103RR02 , 5F103RR05 , 5F140AA40 , 5F140AC00 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH39 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CD01 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-145533 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-145533 Applicant：ソニー株式会社

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