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J-GLOBAL ID：200903088601962152

分子デバイス及びその製造方法

Inventor： 石田 謙司 ,  松重 和美
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002055072
Publication number (International publication number)：2003258336
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 各種デバイス機能を備えてなる分子デバイスに対して与えられる制御電圧を、強誘電性材料によって制御し得る新規な分子デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ナノチューブ15を含んでなっている分子TFT(分子電界効果トランジスタ)10であって、基板11上に絶縁膜を介してドレイン電極12及びソース電極13が形成され、ドレイン電極12とソース電極13との間にナノチューブ15が配置されるとともに、ナノチューブ15が強誘電体18によって被覆されている。

Claim (excerpt)：

半導体性分子を含んでなっている分子デバイスであって、半導体性分子が強誘電性物質にて被覆されていることを特徴とする分子デバイス。

IPC (3)：

H01L 51/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/28 ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B

F-Term (30)：

5F083FR00 ,  5F083FR05 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083PR21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB05 ,  5F110BB08 ,  5F110BB09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG41 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スイッチング素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-284927   Applicant：株式会社東芝
• 不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-362948   Applicant：株式会社リコー