Pat
J-GLOBAL ID：200903041306645939

不揮発性有機半導体記憶素子及びそれを有する非接触情報管理表示装置

Inventor：
秋山 善一

About 秋山 善一


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 瀧野 秀雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001362948
Publication number (International publication number)：2003163331
Application date： Nov. 28, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：
【要約】【課題】 不揮発性有機半導体記憶素子を低コストで提供することを第1の目的とし、そして、かかる不揮発性有機半導体記憶素子を実装したインテリジェントタグを提供することを第2の目的とする。【解決手段】 有機半導体層1とその下面に設けた有機強誘電体層2とを有する不揮発性有機半導体記憶素子10おいて、前記有機強誘電体層2のヒステリシス特性を利用して情報を記憶するようにする。前記有機半導体層1中には、間隔をあけて前記有機強誘電体層の上面に接するように設けたソース電極3とドレイン電極4とを有し、そして、前記有機強誘電体層2中には、前記ソース電極3とドレイン電極4との間のチャネル領域1aの下方の部分に有機強誘電体層2の下面と同一平面となるように設けたゲート電極5を有する。
Claim (excerpt)：
有機半導体層とその上面もしくは下面に設けた有機強誘電体層とを有する不揮発性有機半導体記憶素子であって、前記有機強誘電体層のヒステリシス特性を利用して情報を記憶するようにしたことを特徴とする不揮発性有機半導体記憶素子。
IPC (16)：
H01L 27/105 ,  C08K 5/03 ,  C08K 5/18 ,  C08K 5/23 ,  C08K 5/30 ,  C08K 5/3467 ,  C08L 29/12 ,  C08L 39/04 ,  C08L 61/26 ,  C08L 65/00 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 51/00
FI (14)：
C08K 5/03 ,  C08K 5/18 ,  C08K 5/23 ,  C08K 5/30 ,  C08K 5/3467 ,  C08L 29/12 ,  C08L 39/04 ,  C08L 61/26 ,  C08L 65/00 ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/28 ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K
F-Term (34)：
4J002BC001 ,  4J002BJ001 ,  4J002CC171 ,  4J002CE001 ,  4J002EA058 ,  4J002EA066 ,  4J002EB146 ,  4J002EN068 ,  4J002EQ017 ,  4J002ER018 ,  4J002EU157 ,  4J002EZ007 ,  4J002FA097 ,  4J002GQ05 ,  5B035AA00 ,  5B035BB09 ,  5B035BC00 ,  5B035CA06 ,  5B035CA23 ,  5F083FR05 ,  5F083GA30 ,  5F083HA10 ,  5F083JA01 ,  5F083JA31 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F101BA62 ,  5F101BD12 ,  5F101BE07 ,  5F101BG10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM