面発光レーザの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長尾達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007198489
Publication number (International publication number)：2009038063
Application date： Jul. 31, 2007
Publication date： Feb. 19, 2009
Summary：

【課題】直接接合を用いることなく、精度よく容易に半導体内部にフォトニック結晶構造を形成することができる面発光レーザの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、活性層およびフォトニック結晶構造が形成された半導体層、を含む複数の半導体層を積層して製造する面発光レーザの製造方法であって、前記フォトニック結晶構造を形成するための第1の半導体層の上に、第2の半導体層を形成する工程と、前記第2の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、前記複数の細孔を通じて、前記第1の半導体層の一部領域に低屈折率部を形成することによって、該第1の半導体層に前記基板に対して平行方向に1次元または2次元の屈折率分布をもつフォトニック結晶構造を作製する工程と、前記第2の半導体層の表面から、第3の半導体層を結晶再成長により形成する工程と、を有する構成とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に、活性層およびフォトニック結晶構造が形成された半導体層、を含む複数の半導体層を積層して製造する面発光レーザの製造方法であって、前記フォトニック結晶構造を形成するための第1の半導体層の上に、第2の半導体層を形成する工程と、前記第2の半導体層に複数の細孔を形成する工程と、前記複数の細孔を通じて、前記第1の半導体層の一部領域に低屈折率部を形成することによって、該第1の半導体層に前記基板に対して平行方向に1次元または2次元の屈折率分布をもつフォトニック結晶構造を作製する工程と、前記第2の半導体層の表面から、第3の半導体層を結晶再成長により形成する工程と、を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。

IPC (1)：

H01S 5/183

FI (1)：

H01S5/183

F-Term (8)：

5F173AC70 , 5F173AH08 , 5F173AP05 , 5F173AP32 , 5F173AP33 , 5F173AP35 , 5F173AP42 , 5F173AR92

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-141793 Applicant：野田進, 科学技術振興事業団, 住友電気工業株式会社

Cited by examiner (5)

垂直空洞面発光レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-218889 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-075055 Applicant：キヤノン株式会社
表面発光レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-024169 Applicant：ゼロックスコーポレイション

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