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J-GLOBAL ID：200903058918303158

半導体発光デバイスおよび半導体発光デバイスの製造方法

Inventor：
野田 進

About 野田 進

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佐々木 吾朗

About 佐々木 吾朗

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村田 道夫

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Applicant, Patent owner：
野田 進

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科学技術振興事業団

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住友電気工業株式会社

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Agent (1)： 長谷川 芳樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999141793
Publication number (International publication number)：2000332351
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 従来とは異なった構成の面発光が可能な半導体発光デバイス、およびこのような半導体発光デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】 半導体発光デバイス(1)では、第1導電型半導体層および第2導電型半導体層(14、18)は、基板(10)の主面上に設けられている。活性層(16)は、キャリアが注入されると光を発生するように設けられ、第1導電型半導体層および第2導電型半導体層(14、18)に挟まれている。2次元回折格子(24)は、活性層(16)において発生されるべき光の波長を規定するように設けられ、基板(10)の主面が延びる方向に沿って延びている。この結果、活性層(16)において発生され2次元回折格子(24)によって波長が規定された光が、光放出面(26)から放出される。光放出面(26)は、2次元回折格子(24)が延びる方向に沿って設けられる。
Claim (excerpt)：
基板の主面上に設けられた第1導電型半導体層と、前記基板の主面上に設けられた第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層に挟まれ、キャリアが注入されると光を発生する活性層と、前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生されるべき光の波長を規定する2次元回折格子と、前記基板の主面が延びる方向に沿って設けられ、前記活性層において発生された光が放出される光放出面と、を備える半導体発光デバイス。
IPC (2)：
H01S 5/125 ,  G02B 5/18
FI (2)：
H01S 3/18 644 ,  G02B 5/18
F-Term (15)：
2H049AA03 ,  2H049AA13 ,  2H049AA33 ,  2H049AA37 ,  2H049AA55 ,  2H049AA64 ,  5F073AA63 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA75 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073CA12 ,  5F073DA16 ,  5F073EA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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