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J-GLOBAL ID：200903088619623479
電子ビーム蒸着方法及びその装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004109932
Publication number (International publication number)：2005290510
Application date： Apr. 02, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：
【課題】蒸着基体の広い領域の表面に対する電子ビーム蒸着を効率良く、高速度で均一に万遍なく仕上げる電子ビーム蒸着方法及び装置を提供する。【解決手段】低圧ガス中の環状アノードと大面積カソード間で、アノードプラズマとカソードプラズマを有して発生するグロー放電を閉じ込め磁場中で発生させ、さらにカソードに高い負の電圧パルスを印加することにより、プラズマを通路とする絞られない大面積の電子ビームパルスを発生させ、板状に形成された蒸発材の表面に照射させて溶解、蒸発して蒸着するもので、蒸発材の薄い表層部分のみを瞬時に溶解、蒸発させるエネルギ密度を持ち、照射エネルギ量を制限するように照射時間を極微小に制限された電子ビームのパルスを、蒸発材に休止時間を置いて繰り返し照射して溶解、蒸発させ、該蒸発材の照射蒸発面に近接対向して配置した基体表面に被着して蒸着膜を形成させる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
低圧ガス中の環状アノードと大面積カソード間の閉じ込め磁場中でアノードプラズマを有するグロー放電を発生させ、前記カソードに高い負の電圧パルスを印加することにより、前記プラズマを通路とする絞られない断面積の大きい電子ビームであって、該電子ビームの断面各部が、板状体に形成された蒸発材料の表面を照射することにより、薄い表層部分のみが瞬時に溶解して蒸発するエネルギ密度(1J/cm2以上)を持ち、かつ、前記表層部分以上に材料を溶解蒸発させない照射エネルギ量に制限するように照射時間を4μs以下の微小に制限された電子ビームのパルスを、前記蒸発材料に休止時間を置いて繰り返し照射して溶解、蒸発させ、該蒸発材料の前記照射表面と近接対向して配置した基体表面に被着させて蒸着膜を形成させることを特徴とする電子ビーム蒸着方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (4)：
4K029AA02
, 4K029BA17
, 4K029DB21
, 4K029EA06
