ナノ構造単層を形成するための方法及びデバイス並びに前記単層を含むデバイス

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小川孝文 , 川原田一穂
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009522811
Publication number (International publication number)：2009545883
Application date： Jul. 27, 2007
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：

ナノ構造アレイを形成又はパターニングするための方法を提供する。前記方法はナノ構造会合基を含むコーティング上にアレイを形成する段階、スピンオン誘電体にアレイを形成する段階、ナノ構造堆積後に溶媒アニールを行う段階、レジストを使用してパターニングする段階、及び/又はアレイ形成を容易にするデバイスを使用する段階を含む。ナノ構造アレイを形成するための関連デバイスと、ナノ構造アレイを含むデバイス(例えばメモリデバイス)も提供する。高温処理中にナノ構造を融着から保護するための方法も提供する。

Claim (excerpt)：

a)ナノ構造をレジストに埋め込むようにレジストとナノ構造単層を第1層上に配置し、レジスト層を提供する段階と; b)レジスト層上の規定パターンを露光し、レジスト層の少なくとも第1領域に露光レジストを提供し、レジスト層の少なくとも第2領域に未露光レジストを提供する段階と; c)第1領域により規定される少なくとも1個のナノ構造単層アレイが第1層上に残存するように、露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を除去せずに未露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を第1層から除去する段階と; d)段階c)後に、第1層と露光レジストとそこに埋め込まれたナノ構造を少なくとも約300°Cの温度に暴露する段階を含むナノ構造単層のパターニング方法。

IPC (8)：

H01L 29/06 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/28 , H01L 51/05 , H01L 21/312

FI (6)：

H01L29/06 601N , H01L29/06 601D , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 449 , H01L21/312 D

F-Term (24)：

5F058AA10 , 5F058AD02 , 5F058AD05 , 5F058AD08 , 5F058AD09 , 5F058AD10 , 5F058AD11 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG09 , 5F058AH04 , 5F083EP17 , 5F083EP49 , 5F083ER22 , 5F083GA27 , 5F083JA01 , 5F083JA02 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR23 , 5F101BA54 , 5F101BD02 , 5F101BE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

ナノ構造単層の形成方法および形成デバイスならびにかかる単層を含むデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2007-527682 Applicant：ナノシス・インク.

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