ナノ構造単層の形成方法および形成デバイスならびにかかる単層を含むデバイス

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川原田一穂
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007527682
Publication number (International publication number)：2008502169
Application date： Jun. 07, 2005
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：

ナノ構造配列の形成またはパターニング法が提供される。この方法は、ナノ構造会合基を含んでなるコーティング上での配列形成、レジストを使用するパターニングおよび/または配列形成を促進するデバイスの使用を含む。またナノ構造配列を含むデバイス(例えばメモリーデバイス)のように、ナノ構造配列の形成のための関連デバイスも提供される。

Claim (excerpt)：

第1の層を提供する工程と; ナノ構造会合基を含んでなる組成物によって第1の層をコーティングして、コーティングされた第1の層を提供する工程と; コーティングされた第1の層上にナノ構造の集合を付着し、それによってナノ構造がナノ構造会合基と会合する工程と; ナノ構造会合基と会合していないナノ構造をいずれも除去し、それによってナノ構造の単層配列が、コーティングされた第1の層と会合したまま残る工程とを含んでなるナノ構造配列の形成方法。

IPC (10)：

H01L 29/06 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/306 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (11)：

H01L29/06 601N , H01L21/312 C , H01L21/316 G , H01L21/312 D , H01L21/306 B , H01L29/06 601D , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 627C

F-Term (81)：

5F043AA02 , 5F043BB03 , 5F043GG02 , 5F043GG10 , 5F058AA10 , 5F058AB06 , 5F058AC03 , 5F058AC07 , 5F058AD05 , 5F058AD08 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH01 , 5F058BB06 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BD10 , 5F058BD19 , 5F058BJ01 , 5F083EP03 , 5F083EP22 , 5F083EP56 , 5F083ER22 , 5F083JA03 , 5F083JA35 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F101BA12 , 5F101BA19 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BB08 , 5F101BE07 , 5F110AA16 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK07 , 5F110HK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,586,785号明細書

Cited by examiner (2)

単一電子素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-154041 Applicant：日本電気株式会社
メモリデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-313309 Applicant：株式会社日立製作所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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