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J-GLOBAL ID：200903088671264517

半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物ならびに半導体装置

Inventor： 佐藤 任廷
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 若林 邦彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995227592
Publication number (International publication number)：1997074093
Application date： Sep. 05, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 耐熱性に優れ、低誘電率で、かつ低吸湿性を示す半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物ならびにこれを用いた耐湿信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含有してなる半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物ならびにポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含む皮膜を半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜として用いてなる半導体装置。

Claim (excerpt)：

ポリキノリン樹脂又はポリキノキサリン樹脂を含有してなる半導体基板の層間絶縁膜および/または表面保護膜用組成物。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  C08G 73/00 LQZ ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/312 A ,  C08G 73/00 LQZ ,  H01L 21/90 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 多層配線構造の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068617   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開昭55-143056