集積回路デバイス用ウェファーの全表面を大域的平面化または平面化する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995335342
Publication number (International publication number)：1996236526
Application date： Dec. 22, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【課題】集積回路を有する半導体ウェファーを大域的に平面化する方法。【解決手段】ウェファーの表面上に亘って充填層を配置し、構造体を被覆させ;該充填層の表面上に亘ってエッチングマスク層を配置し;該エッチングマスク層中に開口を形成させ、エッチングすべき充填層の領域を露光し;該充填層の露光した領域をエッチングし、前記ウェファーの表面上に定義された高い地形と比較して実質的に僅かに高い地形を有する第2の表面を備えさせ;かつ第2の表面の高い地形を除去し、平面化されたウェファー表面を備えさせる。【効果】誘電材料中のボイド、フォトリソグラフィーの分解能問題を引き起こす焦点深度における変動、膜厚および膜の高さの変化に基づくエッチングによって引き起こされる損傷、ならびに収率の減少をの問題を、集積回路層を平面化することによってさらに改善して回避することができる。

Claim (excerpt)：

その表面上に配置された複数の構造体を有し、該構造体が表面上に高い地形および低い地形を形成している集積回路デバイス用ウェファーを大域的に平面化する方法において、該ウェファーの表面上に亘って充填層を配置し、前記構造体を被覆させ;該充填層の表面上に亘ってエッチングマスク層を配置し;該エッチングマスク層中に開口を形成させ、エッチングすべき充填層の領域を露光し;該充填層の露光した領域をエッチングし、前記ウェファーの表面上に定義された高い地形と比較して実質的に僅かに高い地形を有する第2の表面を備えさせ;かつ第2の表面の高い地形を除去し、平面化されたウェファー表面を備えさせることを特徴とする、集積回路デバイス用ウェファーを大域的に平面化する方法。

IPC (5)：

H01L 21/3205 , H01L 21/304 321 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (5)：

H01L 21/88 K , H01L 21/304 321 S , H01L 21/316 M , H01L 21/318 M , H01L 21/95

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-116753
ウエハ表面の平坦化方法及びその方法に用いる化学的機械研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-128306 Applicant：沖電気工業株式会社
特開昭56-029326

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