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J-GLOBAL ID：200903088694399738

有機電界効果トランジスタ

Inventor： 荒牧 晋司 ,  ▲鶴▼谷 泰之 ,  酒井 良正
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004224313
Publication number (International publication number)：2005072569
Application date： Jul. 30, 2004
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】 高容量、高絶縁耐性、有機半導体との界面の平坦性を兼ね備えた絶縁膜を有する有機電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 有機半導体を用いたトランジスタ素子において、ゲート絶縁膜が少なくともポリマーを含む高誘電率絶縁膜、及びポリマーを含む低誘電率絶縁膜を含む積層体であって、該低誘電率絶縁膜と該高誘電率絶縁膜との誘電率差が1より大きい絶縁体層を積層し、有機電界効果トランジスタを作成する。誘電率差が1以上ある2種類以上の薄膜を積層する事により、性能バランスのとれた有機電界効果トランジスタが得られる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

有機半導体を用いたトランジスタ素子において、ゲート絶縁膜が少なくともポリマーを含む高誘電率絶縁膜、及びポリマーを含む低誘電率絶縁膜を含む積層体であって、該低誘電率絶縁膜と該高誘電率絶縁膜との誘電率差が1より大きいことを特徴とする有機電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T

F-Term (42)：

5F110AA12 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK10 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 有機薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-028474   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 有機半導体装置及び液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-264964   Applicant：株式会社日立製作所