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J-GLOBAL ID：200903088784054624

光近接効果補正の方法

Inventor： 池内 敦彦
Applicant, Patent owner： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003390830
Publication number (International publication number)：2005156606
Application date： Nov. 20, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】 LSIを製造する際のリソグラフィ工程における光近接効果によるパターン転写の忠実度の低下を防止するため、マスクデータ作成段階でレイアウトパターンを補正するOPC処理が行われている。しかし、近年の半導体プロセスの微細化により、OPC処理に要求される精度が厳しくなっており、OPC検証に膨大な時間がかかるという問題が存在する。【解決手段】 リソグラフィルールによって抽出された危険箇所を、OPC不良ルールを用い、OPC不良危険箇所と解析対象危険箇所に分類する。OPC不良危険箇所に対しては修正を行い、解析対象危険箇所についてだけ転写イメージを得る詳細なシミュレーションを実行する。転写イメージを得るためのシミュレーションは多大な時間を要するが、本提案は必要最小限のシミュレーションに限ることができ、OPCプロセスの所要時間を大幅に削減可能にした。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体集積回路として設計されたレイアウトパターンについて光近接効果補正処理を行う補正手段と、 光近接効果補正が行われた前記レイアウトパターンを光近接効果補正ルール及びリソグラフィルールに基づいて検証する検証手段と、 前記検証によって危険箇所としてエラーとなったレイアウトパターンを、光近接効果補正不良ルールに基づいて光近接効果補正不良危険箇所及び前記光近接効果補正不良危険箇所よりも欠陥となる危険性の高い解析対象危険箇所に分類する分類手段と、 分類された前記光近接効果補正不良危険箇所のレイアウトパターンを修正する修正手段と、 分類された前記解析対象危険箇所のレイアウトパターンについての良否を転写イメージによって判定する判定手段と、 修正された前記光近接効果補正不良危険箇所のレイアウトパターンを含む光近接効果補正処理された前記レイアウトパターンをマスクデータに変換する変換手段を 有することを特徴とする光近接効果補正の方法。

IPC (3)：

G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (3)：

G03F1/08 A ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502P

F-Term (1)：

2H095BB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• マスクデータ作成方法及びその作成装置、マスクデータ補正方法及びマスクデータ補正装置コンピュータ読み取り可能な記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-048368   Applicant：株式会社東芝