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J-GLOBAL ID：200903088853043451

半導体装置の製造方法

Inventor： 國島 巌 ,  梶 成彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993234804
Publication number (International publication number)：1995094727
Application date： Sep. 21, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】シリコン基板の浸蝕を招くことなく、シリコン基板に形成された浅い不純物拡散層上にシリサイド膜を形成すること。【構成】Si2 H6 ガスとTiCl4 ガスとを交互に供給するCVD法により、シリコン基板1に形成された浅いp+ 型不純物拡散層9およびn+ 型不純物拡散層10上にTiSi2 膜11を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基体表面に形成され、半導体元素を構成元素とする導電層上に、前記半導体元素と遷移金属元素とを含む化合物膜を気相成長法によって形成する工程を有し、原料ガスとして、前記半導体元素を含む第1の原料ガスと前記遷移金属元素を含む第2の原料ガスとを用い、前記第1の原料ガスと前記第2の原料ガスとを交互に供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-056574
  
• 半導体装置製造用気相反応装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-241388   Applicant：富士通株式会社
• 特開平2-093071