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J-GLOBAL ID：200903088869997579

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡嘉敷 健
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994294396
Publication number (International publication number)：1996153707
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチングにより形成された白金や導電性酸化物の微細パターンの表面の炭素及びハロゲン元素等による汚染除去することにある。【構成】白金や導電性酸化物の電極を選択的にハロゲン元素を含むガスを用いたプラズマを応用したドライエッチングによりエッチングして微細パターン形成後、引き続き酸素ガス、オゾンガス、水蒸気ガス、窒素酸化物ガスのうち少なくとも一種類以上のガスを選択し、プラズマにより前記材料の表面を処理する。

Claim (excerpt)：

ルテニウム及びルテニウム酸化物のうち少なくとも一種類以上を含む電極を選択的にドライエッチングする工程と、引き続き酸素ガス、オゾンガス、水蒸気ガス、窒素化物ガスのうち少なくとも一種類以上のガスを用いて、前記電極の表面を処理する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-049425
  
• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-302703   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平2-074006