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J-GLOBAL ID：200903088905541226

気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法

Inventor：
清澤 努

About 清澤 努


Applicant, Patent owner：
パナソニック株式会社

About パナソニック株式会社


Agent (3)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007339182
Publication number (International publication number)：2009164162
Application date： Dec. 28, 2007
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：
【課題】パーティクルの混入を抑制した高品質なSiC単結晶薄膜を安定して製造することができる気相成長装置および単結晶薄膜の成長方法を提供する。【解決手段】ガス供給口1とガス排気口2を有する反応容器内に、ウエハ搭載部を有するサセプタ3と、カバープレート8を固定保持するための支持部6と、を備えた気相成長装置を用い、前記ウエハ搭載部に単結晶ウエハ7を搭載し、前記支持部6により前記単結晶ウエハ7と前記サセプタ3に対向した壁面との間にカバープレート8を固定支持して、前記単結晶ウエハ7表面に単結晶薄膜をエピタキシャル成長する。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
ガス供給口とガス排気口を有する反応容器を備えた気相成長装置において、 前記反応容器内に単結晶ウエハを載置するための搭載部と前記単結晶ウエハを覆うためのカバープレートを固定保持するための支持部とを持つサセプタを備えた気相成長装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458
FI (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/458
F-Term (23)：
4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA03 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB15 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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