気相成長装置及び気相成長方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004040039
Publication number (International publication number)：2005235845
Application date： Feb. 17, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】化合物半導体の結晶成長において、パーティクル等の表面欠陥の発生を有効に抑制することができ、均一な組成の薄膜を成長させる。【解決手段】化合物半導体を結晶成長するための気相成長装置において、薄膜結晶の気相成長に供される反応炉10と、反応炉10内に設置され、被処理基板4が載置される基板保持台6と、反応炉10内に設置され、基板6の表面に対し実効的に平行な方向から原料ガスを供給するためのフローチャンネル3と、基板4の表面に対向する位置に配置され、基板4よりも寸法が大きく基板4と同一の単結晶材料からなるダミー基板12とを備えた。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

薄膜結晶の気相成長に供される反応炉と、この反応炉内に設置され被処理基板が載置される基板保持台と、前記基板の表面に対し所定方向から原料ガスを供給する手段とを具備してなり、前記反応炉内の前記基板の表面に対向する壁面領域を、前記基板の表面よりも大きな範囲にわたって該基板と同一種の単結晶材料で形成したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

H01L21/205 , C23C16/44

FI (2)：

H01L21/205 , C23C16/44 B

F-Term (16)：

4K030KA47 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB06 , 5F045AB10 , 5F045AB12 , 5F045AB14 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB15 , 5F045DP04 , 5F045EB03 , 5F045EC05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

気相成長方法およびその方法を適用した気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-351900 Applicant：株式会社ジャパンエナジー
気相成長装置およびその装置を利用した気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-054320 Applicant：株式会社日鉱マテリアルズ
III族窒化物結晶成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-131900 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Cited by examiner (3)

半導体薄膜気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-256417 Applicant：日本電信電話株式会社
気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-245022 Applicant：日本電気株式会社
気相成長装置および気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-202087 Applicant：富士通株式会社

Return to Previous Page