Pat

J-GLOBAL ID：200903088906520273

半導体装置

Inventor： 久保 博稔 ,  重田 典博 ,  桑子 栄一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999277081
Publication number (International publication number)：2001102576
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 単位面積あたり高密度にセルを集積化できると共に、チャネルとして活性な部分の電気的特性も均一化できる、絶縁ゲート型の半導体装置を提供する。【解決手段】 面方位(111)の半導体ウェハを準備する。その表面にトレンチ32を形成する。該トレンチ32によって区画される半導体層の側壁33は上方から見て6角形のパターン30を構成する。該トレンチ32内にゲート電極を形成し、該パターン30を単位セルとしてMOSFET素子を構成する。トレンチ32横の側壁33は、6つの面において互いに等価となるようにその結晶面が選択されている。代表的な例では(110)面あるいはその近傍の結晶面である。

Claim (excerpt)：

6角形のパターンの半導体層を設け、前記半導体層の側壁の結晶面を互いに等価面とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/80

FI (5)：

H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 F ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 G ,  H01L 29/80 V

F-Term (8)：

5F102FA02 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL03 ,  5F102GR01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-367420   Applicant：株式会社デンソー