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J-GLOBAL ID：200903088926085034

強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリ

Inventor： 樋山 邦夫 ,  坪井 秀樹 ,  岡田 升宏 ,  真田 徳雄 ,  飯島 高志
Applicant, Patent owner： ヤマハ株式会社 ,  工業技術院長
Agent (2)： 藤巻 正憲 ,  藤巻 正憲 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998284560
Publication number (International publication number)：2000109362
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Apr. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 疲労特性を向上させることができると共に、キャパシタ絶縁膜として使用される際のキャパシタ電極の形成を容易なものとすることができる強誘電体材料、その製造方法及び強誘電体メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体材料はx、yをモル比として、PbxZr(1-y)TiyO3により表される材料にAlを置換固溶させて得られる。このxの値は0.9乃至1.1、yの値は0.3乃至0.7である。また、強誘電体メモリは、この強誘電体材料を膜厚が50乃至500nmになるように形成したキャパシタ絶縁膜を有する。

Claim (excerpt)：

x、yをモル比として、PbxZr(1-y)TiyO3により表される組成を有する材料にAlを置換固溶させてなることを特徴とする強誘電体材料。

IPC (5)：

C04B 35/49 ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

C04B 35/49 Z ,  G11C 11/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 27/10 651

F-Term (19)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5G303AA10 ,  5G303AB20 ,  5G303BA03 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-124769   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特表平4-506791
  
• 特表平4-505912
  
• 強誘電性複合材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-252700   Applicant：アルプス電気株式会社, 安田榮一

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-124769   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特表平4-506791
  
• 特表平4-506791
  
• 特表平4-505912
  
• 特表平4-505912
  
• 強誘電性複合材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-252700   Applicant：アルプス電気株式会社, 安田榮一

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS

Cited by examiner (2)

• ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS
• ELECTRICAL AFTER-EFFECTS IN Pb(Ti,Zr)O3 CERAMICS