Pat
J-GLOBAL ID：200903007117630447

半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法

Inventor：
伊東 敏雄

About 伊東 敏雄


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995124769
Publication number (International publication number)：1996316433
Application date： May. 24, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 酸素の欠損が無く、半導体装置の信頼性向上を図り得る半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法を提供する。【構成】 p形シリコン基板1上に熱酸化膜2を形成し、その上に白金下部電極3を形成し、本発明の特徴部分であるPZTの成膜を行う。即ち、白金下部電極3の上に酢酸鉛/チタンイソプロポキシド/ジルコニウムイソプロポキシド/過酸化チタンを含むゾル溶液を塗布し、ソフトベークを行って、PZT前駆体の薄膜4を形成する。次に、これを酸素雰囲気中700°Cで熱処理を行い、ペロブスカイト型結晶のPZT薄膜5を得る。必要に応じてこれらの操作を繰り返し、所望の膜厚とする。
Claim (excerpt)：
支持基板上に金属アルコキシドからなるゾルーゲル法におけるゾル溶液を塗布して焼成する半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法において、(a)支持基板上に下地配線を行う工程と、(b)その上に過酸化チタンまたはその誘導体を含んでなるゾル溶液を塗布し、ソフトベークを行って、PZT前駆体の薄膜を形成する工程と、(c)酸素雰囲気中で熱処理を行い、ペロブスカイト型結晶のPZT薄膜を形成する工程とを施すことを特徴とする半導体装置の強誘電体薄膜の形成方法。
IPC (7)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C04B 35/49 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 41/187
FI (6)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 21/316 U ,  H01L 21/316 C ,  C04B 35/49 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/18 101 D
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM