電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山敏夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995158432
Publication number (International publication number)：1996330584
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】信頼性・耐圧にすぐれ、不純物拡散抑制効果があり、界面準位や固定電荷の増加がないゲート絶縁膜を有する電界効果トランジスタとその製造方法を提供することにある。【構成】シリコン基板1上に、シリコン酸化膜2が形成され、さらにこの上に窒素含有多結晶シリコン3が設けられ、シリコン酸化膜2と多結晶シリコン3との境界に窒素含有シリコン酸化膜層4が形成されている電界効果トランジスタ。半導体基板上に、酸化膜を形成し、この酸化膜上に窒素を含有する多結晶シリコン膜を形成し、ついで半導体基板と熱処理する電界効果トランジスタの製造方法。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン膜とシリコン酸化膜の境界近傍のシリコン酸化膜中の窒素含有量が、シリコン半導体基板とシリコン酸化膜の境界近傍のシリコン酸化膜中の窒素含有量より多いことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/322 , H01L 21/324

FI (5)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 S , H01L 21/318 B , H01L 21/322 P , H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-180671 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭52-146567
特開平4-157766

Show all

Return to Previous Page