ALCVDによるCuインターコネクトのための多層バリアメタル薄膜

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002089933
Publication number (International publication number)：2002329680
Application date： Mar. 27, 2002
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】抗拡散能力、低抵抗率、高密度、改善された密着性等の優れた膜特性を有する多層バリアメタル薄膜およびその膜の形成方法を提供する。【解決手段】本発明の集積回路は、多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える。これにより、優れた膜特性を有する多層バリアメタル薄膜が得られる。

Claim (excerpt)：

多層バリアメタル薄膜構造を備える集積回路であって、基板と、原子層化学的気相成長のプロセスによって該基板上に堆積されたバリアメタル薄膜であって、該バリアメタル薄膜は金属窒化物を含む、バリアメタル薄膜と、該バリアメタル薄膜上に堆積された薄い銅膜とを備える、集積回路。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 , C23C 16/34 , H01L 21/285

FI (3)：

H01L 21/28 301 R , C23C 16/34 , H01L 21/285 C

F-Term (30)：

4K030AA02 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA29 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD43 , 4M104EE08 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH05 , 4M104HH08 , 4M104HH13 , 4M104HH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化学蒸着法による銅薄膜形成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-370603 Applicant：日本真空技術株式会社

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