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J-GLOBAL ID：200903099229570805

化学蒸着法による銅薄膜形成法

Inventor： 楠本 淑郎 ,  村田 真朗 ,  市橋 素子
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998370603
Publication number (International publication number)：2000195863
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 優れた密着性と平滑な平面形状を併せ持つCVD-Cu薄膜を提供すること。【解決手段】 バリアメタル膜が形成された基板上に、TDMAT、TDEAT、TiPMAT、もしくはそれらの組合せを用いて、またはTa(N(CH3)2)5、Ta=(N(t-C4H9))(N(C2H5)2)3、もしくはそれらの組合せを用いて50nm以下のCVD-TiN薄膜またはCVD-TaN薄膜を密着増強層として形成した後、CuI(HFAC)VTMS、CuII(HFAC)2を原料として、CVD-Cu薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

バリアメタル膜の形成された基板上に銅薄膜を化学蒸着法で形成する際、化学蒸着法により、バリアメタル膜上に、窒化チタン薄膜または窒化タンタル薄膜を形成した後、その上に銅薄膜を形成することを特徴とする銅薄膜形成法。

IPC (5)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (5)：

H01L 21/88 M ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z

F-Term (39)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA61 ,  4K030BB12 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104DD45 ,  4M104FF16 ,  4M104HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033PP02 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033RR04 ,  5F033WW02 ,  5F033XX13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体素子とその配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-307835   Applicant：沖電気工業株式会社
• 埋め込み導電層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-169537   Applicant：富士通株式会社