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J-GLOBAL ID：200903088985616809

金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法および金属イオン捕捉方法

Inventor：
金崎 英二

About 金崎 英二

, 
中下 末徳

About 中下 末徳


Applicant, Patent owner：
堺化学工業株式会社

About 堺化学工業株式会社


Agent (1)： 深井 敏和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999184802
Publication number (International publication number)：2001019428
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Jan. 23, 2001
Summary：
【要約】【課題】 金属イオンをハイドロタルサイト類化合物の層間に容易に導入できる金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法および金属イオン捕捉方法を提供することである。【解決手段】 一般式(1) : [M2+1-x M3+x (OH)2 ]x+(An-)x/n ・yH2 O (1) (式中、M2+は2価の陽イオン、M3+は3価の陽イオン、An-は陰イオン、0.16≦x≦0.33、n≧1、y>0である。)で表されるハイドロタルサイト類化合物に金属塩を加えて、この金属塩中の金属イオンを前記ハイドロタルサイト類化合物の層間に導入することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
一般式(1) : [M2+1-x M3+x (OH)2 ]x+(An-)x/n ・yH2 O (1) (式中、M2+は2価の陽イオン、M3+は3価の陽イオン、An-は陰イオン、0.16≦x≦0.33、n≧1、y>0である。)で表されるハイドロタルサイト類化合物に金属塩を加えて、この金属塩中の金属イオンを前記ハイドロタルサイト類化合物の層間に導入することを特徴とする金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法。
IPC (6)：
C01G 1/00 ,  A01N 59/06 ,  B01J 20/08 ,  C01B 25/38 ,  C01F 7/00 ,  C08K 9/00
FI (6)：
C01G 1/00 B ,  A01N 59/06 Z ,  B01J 20/08 B ,  C01B 25/38 ,  C01F 7/00 C ,  C08K 9/00
F-Term (40)：
4G066AA10D ,  4G066AA13D ,  4G066AA16B ,  4G066AA20B ,  4G066AA45D ,  4G066AA47A ,  4G066AA47B ,  4G066AA50D ,  4G066AA53A ,  4G066AA66B ,  4G066AB07D ,  4G066AB23D ,  4G066AE02D ,  4G066BA31 ,  4G066CA46 ,  4G066DA08 ,  4G066EA20 ,  4G066FA05 ,  4G066FA14 ,  4G076AA18 ,  4G076AA19 ,  4G076AB06 ,  4G076AB11 ,  4G076BA11 ,  4G076BE04 ,  4G076DA25 ,  4G076DA28 ,  4H011AA02 ,  4H011BA01 ,  4H011BB18 ,  4H011BC18 ,  4H011DF02 ,  4H011DG02 ,  4J002AA001 ,  4J002DE286 ,  4J002FB076 ,  4J002FB086 ,  4J002FB236 ,  4J002FB266 ,  4J002FD186
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (6)
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