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J-GLOBAL ID:200903089022060534

ガラスセラミック及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 喜平
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007071963
Publication number (International publication number):2008120666
Application date: Mar. 20, 2007
Publication date: May. 29, 2008
Summary:
【課題】イオン伝導性向上に寄与する結晶の含有率が高く、かつ、Li4P2S6の結晶の含有率が低いガラスセラミックを提供する。【解決手段】リチウム(Li)元素、リン(P)元素及び硫黄(S)元素を含有するガラスセラミックであって、ガラスセラミックの固体31PNMRスペクトルが、90.9±0.4ppm及び86.5±0.4ppmの位置に、結晶に起因するピークを有し、ガラスセラミックに占める前記結晶の比率(xc)が50mol%〜100mol%であり、ガラスセラミックに占めるLi4P2S6が10mol%以下であるガラスセラミック。【選択図】なし
Claim (excerpt):
リチウム(Li)元素、リン(P)元素及び硫黄(S)元素を含有するガラスセラミックであって、 前記ガラスセラミックの固体31PNMRスペクトルが、90.9±0.4ppm及び86.5±0.4ppmの位置に、結晶に起因するピークを有し、 前記ガラスセラミックに占める前記結晶の比率(xc)が50mol%〜100mol%であり、 前記ガラスセラミックに占めるLi4P2S6が10mol%以下であるガラスセラミック。
IPC (3):
C03C 10/02 ,  H01M 10/36 ,  H01B 1/06
FI (3):
C03C10/02 ,  H01M10/00 107 ,  H01B1/06 A
F-Term (68):
4G062AA11 ,  4G062BB18 ,  4G062CC10 ,  4G062DA01 ,  4G062DB01 ,  4G062DC01 ,  4G062DD05 ,  4G062DE01 ,  4G062DF01 ,  4G062EA07 ,  4G062EB01 ,  4G062EC01 ,  4G062ED01 ,  4G062EE01 ,  4G062EF01 ,  4G062EG01 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FC01 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GB02 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM23 ,  4G062NN25 ,  4G062QQ20 ,  5G301CA05 ,  5G301CA16 ,  5G301CA19 ,  5G301CD01 ,  5H029AJ01 ,  5H029AM14 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ08 ,  5H029DJ16 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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