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J-GLOBAL ID：200903089039324780

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 岩佐 成人 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095161
Publication number (International publication number)：1997283854
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流、駆動電圧を小さくできるレーザ素子を提供することにより、室温で連続発振可能な素子を実現する。【構成】 基板上部に形成されたn型層、活性層、およびp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型層側に電流狭窄層が設けられていることにより、低抵抗なn型層で電流狭窄されるため、レーザの駆動電圧が下がり連続発振可能となる。

Claim (excerpt)：

基板上部に形成されたn型層、活性層、およびp型層を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記n型層側に電流狭窄層が設けられていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-149498
  
• 特開平2-094686
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038159   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-219090
  
• 特開平4-280493