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J-GLOBAL ID：200903089047172710

FRIT-レーザーイオン源

Inventor： 大塚紀一郎
Applicant, Patent owner： 日本電子株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998317085
Publication number (International publication number)：2000146914
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：

【要約】【課題】FRITプローブを大気圧下でも使用できるようにすると共に、質量数が8000よりも大きな試料をイオン化することができるイオン源を提供する。【解決手段】多孔質部材で構成されたFRITプローブの先端部にレーザー光を照射することによって、FRITプローブ先端部から滲出する試料をイオン化するようにした。

Claim (excerpt)：

多孔質部材で構成されたFRITプローブの先端部にレーザー光を照射することによって、FRITプローブ先端部から滲出する試料をイオン化するようにしたことを特徴とするFRIT-レーザーイオン源。

IPC (4)：

G01N 27/62 ,  G01N 27/64 ,  H01J 49/10 ,  H01J 27/24

FI (4)：

G01N 27/62 X ,  G01N 27/64 B ,  H01J 49/10 ,  H01J 27/24

F-Term (4)：

5C030DD08 ,  5C030DE10 ,  5C030DG09 ,  5C038GG07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-241250
  
• イオン化分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-125137   Applicant：浜松ホトニクス株式会社