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J-GLOBAL ID：200903089049851428

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor： 中塚 慎一 ,  野本 悦子
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997226011
Publication number (International publication number)：1999068217
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 高出力の窓構造半導体レーザを再現性よく実現する。【解決手段】 端面部のレーザストライプの周辺(両側)に亜鉛拡散を行い、混晶化領域の周辺への広がりを利用して当該レーザストライプに窓構造を形成する。【効果】 他のレーザ特性を劣化させずに良好な窓構造を形成できる。

Claim (excerpt)：

少なくとも直接遷移型の半導体により構成される活性層と、該活性層を挟んで設けた活性層よりも広い禁制帯幅で互いに異なる導電型を有する半導体層よりなる2種類のクラッド層を有し、少なくとも該活性層は電子のド・ブロイ波長よりも短い周期の組成の変動を有しており、層構造に垂直に設けた結晶面を反射鏡として共振器を構成し、少なくとも一方の反射鏡の近傍において不純物を導入することにより活性層の周期的組成変動を平滑化して活性層の禁制帯幅を他の領域の活性層よりも大きくした窓構造を有する半導体レーザで、上記禁制帯幅を大きくした窓構造は半導体レーザの発光領域となるストライプ状構造に隣接する領域に不純物を導入することにより形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-153878
  
• 半導体レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-309600   Applicant：三菱電機株式会社