半導体装置の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005337900
Publication number (International publication number)：2006179878
Application date： Nov. 23, 2005
Publication date： Jul. 06, 2006
Summary：

【課題】ゲート電極や配線を低抵抗な金属膜を用いて形成することにより、大面積なデバイスにも対応できる半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】基板上にアルミニウムを主成分とする第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に当該第1の導電層と異なる材料からなる第2の導電層を形成し、前記第1の導電層及び前記第2の導電層をパターニングしてゲート電極を形成することを特徴とする。また、前記第1の導電層は、炭素と、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルのいずれか一又は複数を含有していることを特徴とする。前記第2の導電層は、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケルまたはこれらの窒化物のいずれか一又は複数からなることを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にアルミニウムを主成分とする第1の導電層を形成し、前記第1の導電層上に当該第1の導電層と異なる材料からなる第2の導電層を形成し、前記第1の導電層及び前記第2の導電層をパターニングしてゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第1の半導体膜を形成し、前記第1の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、前記第1の半導体膜上に第1の不純物元素を有する第2の半導体膜を形成した後に前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜を加熱し、前記第1の半導体膜及び前記第2の半導体膜をパターニングして島状の半導体領域を形成し、前記島状の半導体領域上に第3の導電層を形成し、前記第3の導電層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し前記島状の半導体領域において、前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記第2の半導体膜をエッチングして、前記第1の半導体膜の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (9)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 29/423 , H01L 29/49 , H01L 21/28 , H01L 21/322 , H01L 21/20 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (13)：

H01L29/78 617L , H01L29/78 627G , H01L29/78 616K , H01L29/78 617M , H01L29/78 627Z , H01L29/78 616L , H01L29/58 G , H01L21/28 301R , H01L21/322 G , H01L21/20 , G02F1/1368 , H05B33/14 A , H01L21/322 R

F-Term (174)：

2H092GA42 , 2H092GA48 , 2H092GA59 , 2H092HA06 , 2H092HA19 , 2H092JA26 , 2H092JA40 , 2H092JA47 , 2H092KA04 , 2H092KA19 , 2H092KB05 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA26 , 2H092MA29 , 2H092MA37 , 2H092NA24 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 3K007AB11 , 3K007AB17 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB29 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH03 , 5F110AA01 , 5F110AA03 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC07 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE33 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK27 , 5F110HK28 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK42 , 5F110HM02 , 5F110HM12 , 5F110HM13 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP08 , 5F110PP10 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28 , 5F152AA03 , 5F152AA08 , 5F152BB03 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC05 , 5F152CC06 , 5F152CC08 , 5F152CD09 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD17 , 5F152CD27 , 5F152CE03 , 5F152CE05 , 5F152CE06 , 5F152CE09 , 5F152CE12 , 5F152CE14 , 5F152CE24 , 5F152CE32 , 5F152CE35 , 5F152CE36 , 5F152CE39 , 5F152CE45 , 5F152CF18 , 5F152CG10 , 5F152CG13 , 5F152DD07 , 5F152FF11 , 5F152FF14 , 5F152FF19 , 5F152FF22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-009440 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-038065
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-058410 Applicant：株式会社東芝

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