半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999270864
Publication number (International publication number)：2000164986
Application date： Sep. 24, 1999
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】リッジストライプ型導波路構造半導体発光装置の劈開、組立による歩留まりを向上させ、j-downで組み立てた場合にリッジストライプ部分へのストレスを軽減し、高出力、長寿命を達成する。【解決手段】基板上に、活性層を含む化合物半導体層、電流が注入される開口部上に形成されたリッジ型の化合物半導体層、該開口部の両側を覆う保護膜及び該保護膜の更に外側に形成された電流ブロック層を有することを特徴とする半導体発光装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に、活性層を含む化合物半導体層、開口部に形成されたリッジ型の化合物半導体層及び該開口部領域の両側を覆う保護膜を有する半導体発光装置において該保護膜の外側に電流ブロック層が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平2-156588
特開平3-227090
半導体レーザーダイオード製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-270057 Applicant：サムソンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

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