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J-GLOBAL ID：200903089110540732

液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物の製造法

Inventor：
新井 隆

About 新井 隆


Applicant, Patent owner：
ダイセル化学工業株式会社

About ダイセル化学工業株式会社


Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004255497
Publication number (International publication number)：2006070167
Application date： Sep. 02, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：
【課題】 耐水性に優れるレジスト膜を形成可能な液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物を提供する。【解決手段】 液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物の製造法は、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性機能を発現する基を有するモノマー単位を含むポリマーを有機溶媒による沈殿に付した後、さらに水性溶媒による再沈殿、リンス又はリパルプ操作に付すことを特徴とする。沈殿に付すポリマーとして、酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性機能を発現する基を有するモノマー単位と基板密着性機能を有するモノマー単位を含むポリマーを用いることができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
酸によりその一部が脱離してアルカリ可溶性機能を発現する基を有するモノマー単位を含むポリマーを有機溶媒による沈殿に付した後、さらに水性溶媒による再沈殿、リンス又はリパルプ操作に付すことを特徴とする液浸露光用フォトレジスト用高分子化合物の製造法。
IPC (7)：
C08F 6/00 ,  C08F 20/18 ,  C08F 20/28 ,  C08F 32/00 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (7)：
C08F6/00 ,  C08F20/18 ,  C08F20/28 ,  C08F32/00 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (37)：
2H025AA00 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11P ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BC07P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100GA18 ,  4J100GA19 ,  4J100GC07 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 液浸型露光装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-121757   Applicant：株式会社ニコン
Cited by examiner (2)

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