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J-GLOBAL ID：200903089131083102

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 石田 謙司 ,  松重 和美
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  パイオニア株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  三菱化学株式会社 ,  ローム株式会社
Agent (2)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002275968
Publication number (International publication number)：2004111870
Application date： Sep. 20, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】小型化が可能な有機半導体を含む半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置1は、ゲート電極の上に、ゲート電極側から順に、ゲート酸化膜3、1対のソース/ドレイン電極7A,7B、および有機半導体層が形成されてなる。ソース/ドレイン電極7A,7Bは、それぞれ、ほぼ同一直線上に沿って延びる帯状部7rと、帯状部7rの先端に設けられ平面視においてほぼ三角形の突出部7pとを備えている。ソース/ドレイン電極7A,7Bの突出部7pは尖端形状を有しており、ソース/ドレイン電極7B,7Aに向かって先細りになっている。ソース/ドレイン電極7Aの突出部7pとソース/ドレイン電極7Bの突出部7pとの間隔は、1μm以下であることが好ましい。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

有機半導体層と、 この有機半導体層に接触して設けられ、互いに対向する第1電極および第2電極と、 この第1電極および第2電極の少なくともいずれか一方に設けられ、他方の電極との間に集中電界を生じさせる形状の電界集中形状部とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L51/00

FI (6)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/28 ,  H01L29/50 M ,  H01L29/44 P

F-Term (34)：

4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 液晶表示素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-018805   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 特開平2-285326
  
• 特開昭60-192369
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-144905   Applicant：富士通株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所