半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：廣田浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002144905
Publication number (International publication number)：2003338621
Application date： May. 20, 2002
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：

【要約】【課題】微細な構造を有し、室温での安定動作に優れ、光リソグラフィやCVD等を利用して安価にかつ量産可能で、単一電子トランジスタに特に好適な半導体装置等の提供。【解決手段】本発明の半導体装置は、導電性粒子を少なくとも1個含む炭素系線状構造体又は格子欠陥を少なくとも2個含む炭素系線状構造体と、該炭素系線状構造体に含まれる前記導電性粒子を少なくとも1個挟むように配置した第1の電極及び第2の電極とを有する。本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上に2以上形成した触媒によるアイランドのうちの第1のアイランドと第2のアイランドとを接続するように、該触媒による粒子を含む炭素系線状構造体又は格子欠陥を少なくとも2個含む炭素系線状構造体を形成し、前記第1のアイランド及び前記炭素系線状構造体に接するように第1の電極と、前記第2のアイランド及び前記炭素系線状構造体に接するように第2の電極とを形成する。

Claim (excerpt)：

導電性粒子を少なくとも1個含む炭素系線状構造体と、該炭素系線状構造体に含まれる前記導電性粒子を少なくとも1個挟むように配置した第1の電極及び第2の電極とを有してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/66 , H01L 29/06 601 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 29/66 S , H01L 29/06 601 N , H01L 29/78 618 B

F-Term (18)：

5F110AA16 , 5F110BB13 , 5F110CC07 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110GG01 , 5F110GG11 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-218578 Applicant：エルジー電子株式会社
ハイブリッド単層カーボンナノチューブの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-286109 Applicant：科学技術振興事業団, 名古屋大学長, 日本電気株式会社
カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-075981 Applicant：株式会社ケイアンドティ

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