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J-GLOBAL ID：200903089145034228

MEMSデバイスの製造方法

Inventor： 青木 敏彦
Applicant, Patent owner： 株式会社ミツトヨ
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007076980
Publication number (International publication number)：2008229823
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】歩留まりを向上させ、ウエハーを個片にした後、パーティクル等を可動機構部分へ付着させることなく、貫通孔を形成可能なMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】物理量検出装置は、ヒンジ部11aにより変位可能に支持された可動部12と、可動部12と対向する位置に配置された固定電極22、32とを有する。この物理量検出装置の製造工程において、まず、可動部12上に配置される第1の硝子基板2の所定箇所に肉薄部26aを形成する。続いて、肉薄部26aを長波長レーザ光Laにより溶解させ、第1の硝子基板2を貫通させる。その後、シリコン基板1、第1の硝子基板2、第2の硝子基板3を封止パッケージ5により封止する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

変位可能に支持された可動部と、前記可動部が配置される基板とを有するMEMSデバイスの製造方法であって、 前記基板の貫通孔を形成させる領域に溶解部を形成する第一の工程と、 前記可動部を前記基板上に配置した状態で固定させ、MEMSデバイス本体を形成する第二の工程と、 前記溶解部を溶解させ、前記基板を貫通させる第三の工程と、 前記MEMデバイス本体を封止部材により封止して、減圧する第四の工程と を有することを特徴とするMEMSデバイスの製造方法。

IPC (3)：

B81C 3/00 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84

FI (3)：

B81C3/00 ,  G01P15/125 Z ,  H01L29/84 Z

F-Term (22)：

3C081AA03 ,  3C081AA17 ,  3C081BA30 ,  3C081BA44 ,  3C081BA81 ,  3C081CA05 ,  3C081CA12 ,  3C081CA17 ,  3C081DA41 ,  3C081EA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA13 ,  4M112FA20 ,  4M112GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• センサの設計およびプロセス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-605219   Applicant：インプット/アウトプット,インコーポレーテッド