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J-GLOBAL ID：200903089163401904
オゾン発生装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
熊谷 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994224150
Publication number (International publication number)：1996059210
Application date： Aug. 24, 1994
Publication date： Mar. 05, 1996
Summary：
【要約】【目的】 発生するオゾンがCr化合物で汚染されないか、或いは高集積度の半導体製造に問題にならない程度の微量な汚染で済むオゾン発生装置を提供すること。【構成】 オゾン発生装置のオゾン発生セル以降のオゾンガス送出路の少なくともオゾンガスと接する部分を耐オゾン性を有し且つ構成材料としてCrを含まない、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、テフロン、リン(P)及び/又はタングステン(W)が微量に添加されたニッケル(Ni)、高純度シリコン(SiO)、高純度サファイア(Al2O3)のいずれか1又は2以上で構成するか、これらの材料をコーティングして構成した。
Claim (excerpt)：
原料ガスを供給すると共に高電圧源から高電圧を印加し、オゾンガスを発生するオゾン発生セル及び発生したオゾンガスを送出するオゾンガス送出路を具備するオゾン発生装置において、前記オゾン発生セル以降のオゾンガス送出路の少なくともオゾンガスと接する部分の材料をクロムを含まない材料で構成したことを特徴とするオゾン発生装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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