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J-GLOBAL ID：200903089169007027

窒化アルミニウム成長のためのエピタキシャル成長法および成長チャンバ

Inventor： ボダコフ, ユーリ アレクサンドラビッチ ,  カルポフ, セルゲイ ユーリエビッチ ,  マカロフ, ユーリー ニコラエビッチ ,  モホフ, エフゲニー ニコラエビッチ ,  ラム, マルク グリゴーリエビッチ ,  ロエンコフ, アレクサンドル ドミトリエビッチ ,  セガール, アレクサンドル ソロモノビッチ
Applicant, Patent owner： ボダコフ, ユーリ アレクサンドラビッチ ,  カルポフ, セルゲイ ユーリエビッチ ,  マカロフ, ユーリー ニコラエビッチ ,  モホフ, エフゲニー ニコラエビッチ ,  ラム, マルク グリゴーリエビッチ ,  ロエンコフ, アレクサンドル ドミトリエビッチ ,  セガール, アレクサンドル ソロモノビッチ
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001515359
Publication number (International publication number)：2003519064
Application date： Aug. 02, 2000
Publication date： Jun. 17, 2003
Summary：

【要約】本発明は、窒素およびアルミニウム蒸気の混合物から単結晶窒化アルミニウムを成長させるためのエピタキシャル成長方法に関し、この方法は、以下の工程を包含する:基板(4)およびアルミニウム源(5)が、成長チャンバ内で互いの反対側に配置される;この基板は、窒化アルミニウムの成長を確実にする温度に加熱され、これにより、この成長チャンバ(3)内でこの温度が維持され、窒素およびアルミニウム蒸気の混合物の圧力が維持される。

Claim (excerpt)：

窒素およびアルミニウム蒸気の混合物からの窒化アルミニウム単結晶のエピタキシャル成長方法であって、該方法は、以下の工程: 成長チャンバ(3)中に基板(4)およびアルミニウム源(5)を互いに反対側に配置する工程; 該源(5)および該基板(4)を加熱して該源(5)および該基板(4)の作用温度を維持する工程;ならびに 該混合物中にアルミニウム蒸気を形成し、そして該基板(4)上に窒化アルミニウム単結晶を成長させる工程、を包含し、該方法は、該成長チャンバ(3)における該窒素およびアルミニウム蒸気の混合物の圧力が、下限から400mbarの間隔内に維持され、該下限は、該源の温度まで加熱された窒化アルミニウムの蒸発により形成される該窒素およびアルミニウム蒸気の混合物により、閉じた予備排気容積で発生する圧力に等しいことを特徴とする、方法。

F-Term (9)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077HA14 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-094078   Applicant：住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Sublimation growth and characterization of bulk aluminum nitride single crystals