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J-GLOBAL ID：200903089188246423
SiC単結晶およびその成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (2)：
長谷川 芳樹 (外3名)
, 長谷川 芳樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999251575
Publication number (International publication number)：2001080997
Application date： Sep. 06, 1999
Publication date： Mar. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたSiC単結晶およびその成長方法を提供すること。【解決手段】 6H型ポリタイプのSiC単結晶40を成長させる方法であって、{01-14}面30u、または{01-14}面に対して約10 ゚以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたSiC単結晶からなる種結晶30上に、6H型ポリタイプのSiC単結晶40を成長させる。
Claim (excerpt)：
6H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させる方法であって、{01-14}面、または{01-14}面に対して約10 ゚以内のオフ角αだけ傾いた面、を露出させたSiC単結晶からなる種結晶上に、6H型ポリタイプのSiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の成長方法。
F-Term (8)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA19
, 4G077ED05
, 4G077HA06
, 4G077HA12
