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J-GLOBAL ID：200903089215977907

半導体装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 佐俣 秀一 ,  吉見 信
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999067375
Publication number (International publication number)：2000269225
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明の課題は、半導体装置の高Q値化ひいては高速化に対応した、高い基板抵抗を示す半導体装置を提供することにある。【解決手段】 本発明は、シリコン基板1上に素子活性層3が形成されてなる半導体装置において、前記シリコン基板1の素子活性層以外の部分のドーパント濃度が1×1013cm-3以下であり、かつ酸素ドナー濃度が1×1013cm-3以下であることを特徴とする半導体装置である。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に素子活性層が形成されてなる半導体装置において、前記シリコン基板の素子活性層以外の部分のドーパント濃度が1×1013cm-3以下であり、かつ酸素ドナー濃度が1×1013cm-3以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/208

FI (3)：

H01L 21/324 X ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/208 M

F-Term (13)：

5F053AA12 ,  5F053AA14 ,  5F053AA19 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053KK03 ,  5F053KK10 ,  5F053PP03 ,  5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-078536   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-190801   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭58-159334