撮像装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997226720
Publication number (International publication number)：1999068078
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】撮像装置の絶縁破壊を防止して信頼性を向上するとともに、ダイナミックレンジの大きい入射光に対応する。【解決手段】絶縁成膜11の一方の面の撮像領域11aには画素電極12がマトリクスアレイ状に配設され、その外側の周辺領域11bにはシールド電極16が配設されている。絶縁成膜11のもう一方の面には画素電極12を駆動する駆動回路15が配設されている。周辺領域11bに対向する領域に配設された駆動回路15は、光電変換膜13に大きな電流が流れた場合でもシールド電極16により遮蔽されており、静電破壊が防止される。

Claim (excerpt)：

第1の面と第2の面とを有する基板と、画素電極がマトリクス状に配設された撮像領域およびこの撮像領域を囲む周辺領域とを有する第1の面と、前記基板の前記第1の面と対向した第2の面とを有する絶縁性膜と、前記絶縁性膜の前記第1の面上に前記撮像領域を覆うように配設された光電変換膜と、前記光電変換膜上に前記撮像領域を覆うように配設され、前記光電変換膜にバイアス電圧を印加する電圧印加手段と、前記絶縁性膜の前記第2の面に前記画素電極と接続して配設され、前記画素電極に誘起された電荷を蓄積するとともに選択的に出力する駆動手段と、前記絶縁性膜の前記第1の面の前記周辺領域に配設され、前記駆動手段と前記電圧印加手段との間を電磁気的に遮蔽するシールド電極とを具備したことを特徴とする撮像装置。

IPC (6)：

H01L 27/14 , A61B 6/00 300 , G01T 1/161 , G01T 1/24 , H01L 23/00 , H04N 5/32

FI (6)：

H01L 27/14 K , A61B 6/00 300 S , G01T 1/161 D , G01T 1/24 , H01L 23/00 B , H04N 5/32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭62-086855
半導体装置及び光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-081641 Applicant：キヤノン株式会社
入出力保護回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-219331 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (3)

特開昭62-086855
半導体装置及び光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-081641 Applicant：キヤノン株式会社
入出力保護回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-219331 Applicant：富士通株式会社

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