プラズマ処理装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997364442
Publication number (International publication number)：1999185998
Application date： Dec. 17, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】使用する周波数に応じて共振回路を取り替える必要がなく、また、共振回路を取り替えることなくチャンバクリーニングを行うことができ、しかも、ベローズを用いずともチャンバ内のプラズマクリーニングが可能であるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】処理室60内にプラズマ励起電極4とサセプタ電極8とを設け、サセプタ電極8上に載置した被処理物16の表面を前記プラズマ励起電極4とサセプタ電極8との間に発生させたプラズマにより処理する際、少なくともサセプタ電極8および処理室10からなる立体回路と直列共振させてプラズマ励起電極4とサセプタ電極8との間にプラズマを閉じ込ませ、プラズマクリーニングする際、前記立体回路と並列共振させてプラズマを処理室60内に拡散させる共振回路(バンドエリミネータ)61bを設けている。

Claim (excerpt)：

処理室内にプラズマ励起電極とサセプタ電極とを設け、該サセプタ電極上に載置した被処理物の表面を前記プラズマ励起電極とサセプタ電極との間に発生させたプラズマにより処理する際、少なくとも前記サセプタ電極および処理室からなる立体回路と直列共振させてプラズマ励起電極とサセプタ電極との間にプラズマを閉じ込ませ、プラズマクリーニングする際、前記立体回路と並列共振させてプラズマを処理室内に拡散させる共振回路を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/205

FI (3)：

H05H 1/46 R , C23F 4/00 A , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

プロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146332 Applicant：大見忠弘
特開平3-204925
プラズマCVD装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288117 Applicant：アネルバ株式会社

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Cited by examiner (2)

プロセス装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-146332 Applicant：大見忠弘
特開平3-204925

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