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J-GLOBAL ID:200903089304946454
エッチング装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
八木田 茂 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995217965
Publication number (International publication number):1997064015
Application date: Aug. 25, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】円筒形で上面が誘電体である真空チャンバー内でプラズマを利用して基板をエッチングする装置において、磁気中性線放電を利用して0.1Pa以下の圧力でもプラズマを発生させることができ、大口径基板上で高均一かつチャージアップダメージの無い高速エッチングを可能にすること。【解決手段】真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する磁場発生手段が、上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久磁石とそれよりも内径が大きく上記永久磁石と同極性を持つドーナツ形板状永久磁石とで構成され、磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生させる電場発生手段が1重を含む多重の高周波コイルから成り、円盤状永久磁石とドーナツ形板状永久磁石の間に配置されること。
Claim (excerpt):
円筒形で上面が誘電体である真空チャンバー内でプラズマを利用して基板をエッチング処理するようにしたエッチング装置であって、真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成する磁場発生手段を、上部誘電体上に載置された上下に極性を持つ永久磁石とそれよりも内径が大きく上記永久磁石と同極性を持つドーナツ形板状永久磁石とにより構成し、磁場発生手段によって真空チャンバー内に形成された磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための1重を含む多重の高周波コイルから成る電場発生手段を、永久磁石とドーナツ形板状永久磁石の間に配置し、また形成される磁気中性線の作る面と平行して離れた位置に直流あるいは高周波バイアスを印加するようにした基板電極を設けたことを特徴するエッチング装置。
IPC (3):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
FI (3):
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 G
, H05H 1/46 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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放電プラズマ処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-052418
Applicant:日本真空技術株式会社
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ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-018004
Applicant:ソニー株式会社
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