窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994131530
Publication number (International publication number)：1995335975
Application date： Jun. 14, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】窒化ガリウム系化合物半導体に適切な反射鏡を形成することにより、基板と垂直方向にレーザ共振器を形成した面発光型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現する。【構成】窒化ガリウム系化合物半導体よりなるダブルへテロ構造のレーザ素子において、活性層4を挟んで基板1と平行方向に第1の反射鏡12と第2の反射鏡3が形成され、基板と垂直方向にレーザ共振器が形成されており、第一の反射鏡12はオーミック接触が得られた透光性の電極である。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されてダブルへテロ構造とされたレーザ素子において、前記レーザ素子には活性層を挟んで基板と平行方向に第1の反射鏡と第2の反射鏡が形成され、基板と垂直方向にレーザ共振器が形成されており、前記第一の反射鏡は積層された窒化ガリウム系化合物半導体層の最表層に形成され、その最表層と好ましいオーミック接触が得られた透光性の電極より成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-264285
特開昭62-265786
窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118227 Applicant：日亜化学工業株式会社

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