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J-GLOBAL ID：200903089332993000

化合物半導体基板の製造方法

Inventor： 片浜 久 ,  西村 孝之 ,  石原 宏
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 井内 龍二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991050946
Publication number (International publication number)：1993051295
Application date： Mar. 15, 1991
Publication date： Mar. 02, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【構成】単結晶基板上に化合物半導体薄膜を通常の成長温度でエピタキシャル成長させ、この後所定の温度条件下、所定の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて前記所定の静水圧より上下させた静水圧下での熱処理を少なくとも1回行ない、化合物半導体基板を製造する。【効果】単結晶基板上に成長させた化合物半導体薄膜の転位密度及び基板の反りを低減させることができ、結晶性が向上した化合物半導体基板を製造することができる。従って、結晶性のよい大面積の電子デバイス用化合物半導体基板を提供することが可能となる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に化合物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる化合物半導体基板の製造方法において、前記化合物半導体薄膜を通常の成長温度で成長させ、この後所定の温度条件下、所定の静水圧を印加してアニール処理を施し、続いて前記所定の静水圧より上下させた静水圧下での熱処理を少なくとも1回行なうことを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205