酸化ルテニウムフィルムの調製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000567761
Publication number (International publication number)：2002524654
Application date： Aug. 11, 1999
Publication date： Aug. 06, 2002
Summary：

【要約】本発明は、(ジエン)Ru(CO)3 の式の液体ルテニウム錯体及び酸化性ガスから酸化ルテニウムフィルムを調製する方法を提供する。ここで「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした若しくは環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N又はOのようなヘテロ原子又はこれらの組み合わせを更に有するそれらの誘導体に言及している。好ましい例は、シクロヘキサジエン又はシクロヘプタジエンルテニウムトリカルボニルと酸素ガスである。

Claim (excerpt)：

半導体基材又は基材アセンブリを提供すること; 以下の式(式I)の1又は複数種の化合物を含む液体先駆物質組成物を提供すること: (ジエン)Ru(CO)3ここで「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした若しくは環状のジエン、二環式ジエン、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、ハロゲン化物、Si、S、Se、P、As、N又はOのようなヘテロ原子又はこれらの組み合わせを更に有するそれらの誘導体に言及している; 前記液体先駆物質組成物を気化させて、気化した先駆物質組成物を作ること;並びに前記気化した先駆物質組成物を、少なくとも1種の酸化性ガスと組み合わせて、前記半導体基材又は基材アセンブリに送って、この半導体基材又は基材アセンブリの表面に酸化ルテニウムフィルムを作ること;を含む、半導体構造体の製造方法。

IPC (5)：

C23C 16/40 , C01G 55/00 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 27/105

FI (5)：

C23C 16/40 , C01G 55/00 , H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z , H01L 27/10 444 C

F-Term (30)：

4G048AA02 , 4G048AB01 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE08 , 4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB06 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104FF18 , 4M104GG19 , 4M104HH05 , 4M104HH13 , 5F083FR01 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA43 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

特許第3875491号

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

Return to Previous Page