Pat
J-GLOBAL ID：200903089459346569

レーザアニーリング装置、液晶表示装置及びその製造方法

Inventor：
張 宏勇

About 張 宏勇


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999076514
Publication number (International publication number)：2000275668
Application date： Mar. 19, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】周辺回路を一体化した液晶表示装置の製造方法に関し、レーザによる半導体膜の結晶化を行う際のスループットを向上し、プロセスマージンを向上すること。【解決手段】表示領域2aと第1周辺回路領域3aと第2周辺回路領域4aを有する基板1上に、固相成長法又は直接成膜法により第1の電界効果移動度を有する第1の半導体膜10を形成する工程と、前記第1周辺回路領域3a上の前記第1の半導体膜10に線形又は二次元の第1レーザ光を第1のエネルギー密度で照射して第2の電界効果移動度を有する第2の半導体膜10cに変える工程と、前記第2周辺回路領域4a上の前記第1の半導体膜10に線形又は二次元の第2レーザ光を第1のエネルギー密度と異なる第2のエネルギー密度で照射して第3の電界効果移動度を有する第3の半導体膜10bに変える工程とを含む。
Claim (excerpt)：
表示領域と第1周辺回路領域と第2周辺回路領域を有する基板上に、固相成長法又は直接成膜法により第1の電界効果移動度を有する第1の半導体膜を形成する工程と、前記第1周辺回路領域上の前記第1の半導体膜に線形又は二次元の第1レーザ光を第1のエネルギー密度で照射して第2の電界効果移動度を有する第2の半導体膜に変える工程と、前記第2周辺回路領域上の前記第1の半導体膜に線形又は二次元の第2レーザ光を第1のエネルギー密度と異なる第2のエネルギー密度で照射して第3の電界効果移動度を有する第3の半導体膜に変える工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (6)：
G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6)：
G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 G ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (66)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KB14 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052HA01 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG44 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110QQ21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • アクティブマトリクス基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-044094   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 電気光学的表示装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-230198   Applicant：セイコーエプソン株式会社
  • 液晶表示装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-247213   Applicant：株式会社日立製作所
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM