Pat

J-GLOBAL ID：200903089591277207

冷陰極電子源の製造方法

Inventor： 渡辺 昭裕 ,  細野 彰彦 ,  沈 智英 ,  中田 修平 ,  高井 幹夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  高井 幹夫
Agent (3)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081854
Publication number (International publication number)：2004288561
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】冷陰極電子源のエミッション特性を向上させることが可能な製造技術を提供する。【解決手段】カーボンナノチューブ(CNT)4とカーボン不純物5とを含む電子放出部3をカソード電極2上に形成する。そして、電子放出部3に対して、照射密度0.7〜8.6MW/cm2でレーザー照射を行って、CNT4をカーボン不純物5から露出させる。これにより、レーザー照射前は横臥状態であったCNT4が起立し、冷陰極電子源のエミッション特性が向上する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

電子を放出するカーボンナノチューブ及びカーボン不純物を含む電子放出部を備える冷陰極電子源の製造方法であって、 (a)カソード電極を形成する工程と、 (b)前記カソード電極上に前記電子放出部を形成する工程と、 (c)前記電子放出部に照射密度0.7〜8.6MW/cm2 でレーザーを照射して、前記カーボン不純物に埋もれている前記カーボンナノチューブを前記カーボン不純物から露出させる工程と を備える、冷陰極電子源の製造方法。

IPC (2)：

H01J9/02 ,  B82B3/00

FI (2)：

H01J9/02 B ,  B82B3/00

F-Term (11)：

5C127AA01 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127DD02 ,  5C127DD18 ,  5C127DD52 ,  5C127DD68 ,  5C127DD88 ,  5C127DD90 ,  5C127EE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 蛍光表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-130170   Applicant：伊勢電子工業株式会社
• 電子放出源の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-203249   Applicant：伊勢電子工業株式会社
• 電子放出膜および電界電子放出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-233873   Applicant：日本電気株式会社
• 電界放出陰極、電子放出素子および電界放出陰極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-255519   Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• エキシマレーザ照射によるCNTカソードのエミッション特性改善